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摘要:基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,构建了未掺杂与相同掺杂浓度的Zn1xTMxO(TM=Al,Ga,In)超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布和能带分布的计算.结果表明,分别高掺杂(Al,Ga,In)相同原子分数3.125at%的条件下,In掺杂对ZnO导电性能最好的结果,计算结果和实验结果相一致.
  • 专辑:

    理工A(数学物理力学天地生)

  • 专题:

    物理学

  • 分类号:

    O482.4

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