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不同散射机理对Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响

黄苑徐静平汪礼胜朱述炎

华中科技大学,光学与电子信息学院

摘要:通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模型分析表明,在低至中等有效电场下,电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响;而在强场下,电子迁移率则取决于界面粗糙度散射.降低界面态密度,减小Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙度,适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高InGaAs nMOSFETs反型沟道电子迁移率的主要途径.
  • 专辑:

    基础科学; 信息科技

  • 专题:

    无线电电子学

  • 分类号:

    TN386

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