文献知网节
  • 记笔记

氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究

王峰浩胡晓君

浙江工业大学化学工程与材料学院

摘要:本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有Si-V发光中心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响.结果表明,氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中Si-V中心的发光强度.当氧离子注入剂量从1014cm2增加到1015cm2时,薄膜中Si-V发光强度增强.Hall效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低.不同温度退火时,氧离子注入薄膜的Si-V发光强度较强时,薄膜的面电阻率增加,说明Si-V发光中心不利于提高薄膜的导电性能.Raman光谱测试结果表明,薄膜中缺陷数量的增多会增强Si-V的发光强度,而降低薄膜的导电性能.
  • 专辑:

    理工A(数学物理力学天地生); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    物理学; 工业通用技术及设备

  • 分类号:

    O484.1

  • 手机阅读
    即刻使用手机阅读
    第一步

    扫描二维码下载

    "移动知网-全球学术快报"客户端

    第二步

    打开“全球学术快报”

    点击首页左上角的扫描图标

    第三步

    扫描二维码

    手机同步阅读本篇文献

  • CAJ下载
  • PDF下载

下载手机APP用APP扫此码同步阅读该篇文章

下载:159 页码:447-453 页数:7 大小:696K

相关文献推荐
  • 相似文献
  • 读者推荐
  • 相关基金文献
  • 关联作者