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空间用GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1 eV)倒装三结太阳电池研制

张永单智发蔡建九吴洪清李俊承陈凯轩林志伟王向武

厦门乾照光电股份有限公司

摘要:采用阶变缓冲层技术(step-graded)外延生长了具有更优带隙组合的倒装GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1.0eV)三结太阳电池材料,TEM和HRXRD测试表明晶格失配度为2%的In0.3Ga0.7As底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的制备要求.通过键合、剥离等工艺制备了太阳电池芯片.面积为10.922cm2的太阳电池芯片在空间光谱条件下转换效率达到32.64%(AM0,25C),比传统晶格匹配的GaInP/GaAs/Ge(0.67eV)三结太阳电池的转换效率提高3个百分点.
  • 专辑:

    理工A(数学物理力学天地生); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    电力工业

  • 分类号:

    TM914.4

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