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电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层一氧化氮的影响

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【作者】 施静张静刘晓春张坚关新民

【Author】 Shi Jing, Zhang Jing, Liu Xiaochun, Zhang Jian, Guan Xinmin (Department of Neurobiology, Department of Acupuncture Analgesic Mechanism, Tongii Medical University, Wuhan, 430030)

【机构】 同济医科大学神经生物学教研室 针刺镇痛原理研究室!武汉430030同济医科大学神?

【摘要】 本研究在大鼠脑缺血再灌注的模型上,应用改良镉还原法测定大鼠脑内NO的代谢产物──亚硝酸盐含量的变化,并应用免疫组织化学方法测定大鼠脑内cNOS及 iNOS的免疫活性变化。研究结果显示:①大鼠一侧大脑中动脉栓塞30分钟再灌注24小时后,脑内NO代谢产物亚硝酸盐含量明显高于对照例,差异显著( P< 0. 05),同时免疫组织化学显示 iNOS免疫活性增强;②缺血再灌注大鼠电针处理后,缺血侧亚硝酸盐含量与对照例相比虽有升高,但升幅仅为33.3%,无显著性差异,其升幅与未电针组大鼠相比低 36. 49%;电针缺血侧iNOS免疫活性细胞数明显减少。结果表明:①大鼠局灶性脑缺血再灌注可使脑内NO代谢水平升高,在NO代谢产物含量升高的同时,iNOS的活性也增强;②电针抗脑缺血再灌注损伤的机制之一是通过抑制NO代谢而实现的。

【基金】 国家自然科学基金
  • 【DOI】10.13702/j.1000-0607.1999.04.008
  • 【分类号】R246
  • 【被引频次】111
  • 【下载频次】119
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