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电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠神经血管单元的保护作用

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【作者】 韩永升徐银韩咏竹徐磊刘向国刘自兵王频

【Author】 HAN Yong-sheng,XU Yin,HAN Yong-zhu,XU Lei1,LIU Xiang-guo2,LIU Zi-bing3,WANG Pin3(Institute of Neurology,Anhui College of Chinese Medicine,Hefei 230061,China;1Department of Rehabilitation,the First Affiliated Hospital of Bangbu Medical College,Bangbu233004;2Clinical College of Integrated Chinese and Western Medicine,Anhui College of Chinese Medicine,Hefei230038;3Institute of Meridian-collateral Research,Anhui College of Chinese Medicine,Hefei 230038)

【机构】 安徽中医学院神经病学研究所附属医院蚌埠医学院第一附属医院康复医学科安徽中医学院中西医结合临床学院安徽中医学院经络研究所

【摘要】 目的:观察电针对大脑中动脉缺血再灌注(MCAO/R)模型大鼠神经行为学及脑组织血管内皮生长因子(VEGF)、神经生长相关蛋白-43(GAP-43)、突触囊泡蛋白(SYN)、髓鞘碱性蛋白(MBP)、勿动蛋白A(Nogo-A)表达的影响,探讨电针对MCAO/R模型大鼠神经血管单元的保护作用及其机制。方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针组,每组20只。采用线栓法制作大鼠MCAO/R模型。电针刺激在造模成功90min后进行,针刺双侧"内关""水沟""三阴交"及"百会"穴,留针30min,每天针刺1次,共14d。各组大鼠在7、14d两个时间点各取10只进行神经功能评估并行免疫组化SP法检测缺血脑组织VEGF、GAP-43、SYN、MBP、Nogo-A的表达。结果:模型组出现明显神经功能缺损症状,14d电针组大鼠神经功能恢复明显优于模型组(P<0.05)。与假手术组比较,模型组7、14d缺血组织VEGF、GAP-43、Nogo-A的表达增多,SYN在两个时间点的表达均减少(P<0.01,P<0.05);与模型组比较,电针组7、14d缺血组织VEGF、GAP-43、SYN、MBP阳性表达均增多(P<0.01,P<0.05),Nogo-A的表达减少(P<0.01)。结论:①电针能有效改善局灶性脑缺血再灌注大鼠的神经功能;②电针能通过上调各时间点局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织内VEGF、GAP-43、SYN、MBP的表达,下调Nogo-A的表达,促进血管、神经元、神经胶质细胞的恢复,从而保护脑缺血再灌注大鼠的神经血管单元。

【基金】 安徽中医学院临床科学研究基金项目(No.2009LC 3-003)
【所属期刊栏目】 机制探讨 (2013年03期)
  • 【DOI】10.13702/j.1000-0607.2013.03.001
  • 【分类号】R245
  • 【被引频次】34
  • 【下载频次】656
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