节点文献

适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO

免费订阅

【作者】 万金梅刘飞曾子玉霍宗亮

【Author】 WAN Jinmei;LIU Fei;ZENG Ziyu;HUO Zongliang;University of Chinese Academy of Sciences;Institute of Microelectronics,University of Chinese Academy of Sciences;Yangtze Memory Technologies Co.,Ltd.;

【机构】 中国科学院大学中国科学院大学微电子研究所长江存储科技有限责任公司

【摘要】 文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定。此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5~3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA。

【关键词】 LDO米勒补偿3D NAND电路设计仿真实验稳定性分析
【基金】 国家自然科学基金(61474137);国家重点研发计划(2018YFB1107700)~~
【所属期刊栏目】 电子与信息器件 (2019年24期)
  • 【DOI】10.16652/j.issn.1004-373x.2019.24.010
  • 【分类号】TN761
  • 【下载频次】7
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

浏览历史:
下载历史: