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IGBT串联电压失衡机理研究

赵景1张赛2

1. 许昌市计算机应用工程技术研究中心2. 许昌电气职业学院

摘要:在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作。因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法。通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致。
  • DOI:

    10.16652/j.issn.1004-373x.2020.20.032

  • 专辑:

    电子技术及信息科学

  • 专题:

    无线电电子学

  • 分类号:

    TN322.8

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