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射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质

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【作者】 简基康郑毓峰马忠权李冬来徐少辉

【Author】 JIAN Ji kang,ZHENG Yu feng,MA Zhong quan,LI Dong Lai,XU Shao hui (Department of Physics,Xingjiang University,Urumqi,Xinjiang 830046,China)

【机构】 新疆大学物理系!新疆乌鲁木齐830046

【摘要】 用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev

【关键词】 IndiumTinOxide薄膜射频溅射Hall系数
  • 【分类号】O484
  • 【下载频次】47
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