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射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质

简基康郑毓峰马忠权李冬来徐少辉

新疆大学物理系!新疆乌鲁木齐830046

摘要:用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev
  • 专辑:

    理工A(数学物理力学天地生); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    物理学; 工业通用技术及设备

  • 分类号:

    O484

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