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共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析

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【作者】 马忠权徐少辉郑毓峰简基康李冬来

【Author】 MA Zhong quan, XU Shao hui, ZHENG Yu feng,JIAN Ji kang, LI Dong lai (Department of Physics, Xinjiang University,Urumqi,Xinjiang 830046,China)

【机构】 新疆大学物理系新疆大学物理系 新疆乌鲁木齐830046新疆乌鲁木齐830046新疆乌鲁木齐830046

【摘要】 采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3~ 4min是面电阻的转变点 ,而电学参数分析也给出相同的结果

【基金】 国家自然科学基金 (5 9862 0 0 2 ) ;新疆维吾尔自治区自然科学基金 (970 91 8);地区自然科学基金的资助 (№ .9781 9)
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】61
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