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MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

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【作者】 范隆靳涛杨祖慎杨志安

【Author】 FAN Long\+1, JIN Tao\+1, YANG Zu-shen\+2, YANG Zhi-an\+2 (1.Xinjiang Institute of Physics, The Academy of Science, Urumqi, Xinjiang 830011, China; 2. Department of physics, Xinjiang University, Urumqi, Xinjiang. 830046, China

【机构】 中国科学院新疆物理研究所新疆大学物理系新疆大学物理系 新疆乌鲁木齐830011新疆乌鲁木齐830011新疆乌鲁木齐830046新疆乌鲁木齐830046

【摘要】 利用电子顺磁共振 (EPR)技术测量了 (1 0 0 )晶向硅衬底材料上制作的 MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁 (EPR)吸收谱 ,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化 .结果表明 ,辐照前后带有单个未成对自旋电子的 Pb0 中心浓度未发生明显变化 ,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷 ,电子辐照后观察到Pb1 中心的出现并随辐照注量增大 ,质子辐照后则未观察这一现象 .当质子辐照到 1 0 1 4p/ cm2时 ,引起部分体缺陷顺磁中心的消失 .电子辐照后 ,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大 ,表明电子与质子辐照作用机制的差异 ,质子辐照中位移效应和 H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因 .

【关键词】 MOS结构电离损伤EPR
【基金】 ~~
  • 【分类号】O571.33
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】81
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