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用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP

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【作者】 黄龙

【Author】 HUANG Long (Department of Physics, Xinjing University, Urumqi, Xinjiang 830008,China)

【机构】 新疆大学物理系 新疆乌鲁木齐830008

【摘要】 采用正电子湮没寿命谱方法 ,对 1 .6× 1 0 1 6 cm- 2注量的 85 Me V1 9F离子辐照 P型 In P单晶的微观缺陷进行了研究 ,在 3 0 0~ 1 0 2 3 K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化 .实验表明 :辐射在 In P中产生单空位缺陷 ,在退火过程中单空位相互聚合形成双空位 .单空位和双空位分别在 5 73 K和 72 3 K温度完全被退火

【关键词】 InP重离子辐照正电子湮没退火效应
  • 【分类号】O571.6
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