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GaAs掺Mn材料的局域电子结构和磁性

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【作者】 蔺何段海明张军

【Author】 LIN He,DUANG Hai-ming,ZHANG Jun~*(Department of physics,Xinjiang University,Urumqi,Xinjiang 830046,China)

【机构】 新疆大学物理系新疆大学物理系 新疆乌鲁木齐830046新疆乌鲁木齐830046新疆乌鲁木齐830046

【摘要】 运用原子团模型研究了稀磁半导体G aA s掺M n的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明M n原子磁矩随掺杂浓度没有明显的变化,磁矩的数值与实验符合的较好.在包含两个M n原子的体系中M n原子之间是铁磁性偶合,表明体系具有铁磁性基态,每个M n原子的磁矩与掺杂一个M n原子时相近.对于不同的掺杂浓度,M n原子与最近邻A s原子之间均为反铁磁偶合,M n原子的3d电子与A s原子的4p电子之间有很强的杂化.

【基金】 国家自然科学基金项目(10347010,10247010);新疆大学21世纪教研工程项目(20030106)
  • 【分类号】O471;
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】155
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