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碲化镉纳米线的制备和生长机理分析

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【作者】 姜海涛郑毓峰简基康孙言飞陈艳华

【Author】 JIANG Hai-tao~1,ZHENG Yu-feng~1,JIAN Ji-kang~2,SUN Yang-fei~1,CHEN Yan-hua~1(1.Physics Department of Xinjiang University,Urumqi Xinjiang 830046, China)2.CCMP,School of Science,Beijing University of Aeronautics & Astronautics ,Beijing 100083,China)

【机构】 新疆大学物理系材料实验室北京航天航空大学理学院凝聚态物理中心新疆大学物理系材料实验室 乌鲁木齐830046乌鲁木齐830046北京100083乌鲁木齐830046

【摘要】 利用物理气相沉积方法,在S i衬底上制备了CdT e纳米线和纳米晶.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究表明所得产物为四方结构CdT e.CdT e纳米线的直径约20nm,长度约为几个微米,纳米晶粒径约为100 nm.分析了载流气体流速、温度等因素对过饱和度的影响,进而影响低维纳米材料的形貌结构.

【基金】 国家自然科学基金资助项目(50062002)
  • 【分类号】TN304;
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】254
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