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垂直布里奇曼法生长Cd1-xZnxTe晶体的位错分布研究

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【作者】 王智贤赵北君朱世富邱春丽李新磊何知宇陈宝军

【Author】 WANG Zhi-xian,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,CHENG Xi,FANG Jun,QIU Chun-li,LI Xin-lei (Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu,Sichuan 610064 China)

【机构】 四川大学材料科学系

【摘要】 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.

【基金】 国家自然科学基金项目(60276030)
【所属期刊栏目】 数理科学 (2008年04期)
  • 【分类号】O772
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】162
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