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硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究

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【作者】 杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇

【Author】 YANG Fan,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,ZHAO Guo-dong, MA Jie-hua,WAN Shu-quan,CHEN Bao-jun,HE Zhi-yu (Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu,Sichuan 610064,China)

【机构】 四川大学材料科学系

【摘要】 采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.

【关键词】 AgGa1-xInxSe2单晶体分凝系数晶胞常数
【基金】 教育部博士点基金项目(20040610024)
【所属期刊栏目】 数理科学 (2009年01期)
  • 【分类号】O782
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】89
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