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AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究

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【作者】 阿布都艾则孜·阿布来提杨世才简基康郑毓峰孙言飞吴荣

【Author】 Abduleziz Ablat,YANG Shi-cai,JIAN Ji-kang,ZHENG Yu-feng,SUN Yan-fei,WU Rong~(College of Physics Science and Technology,Xinjiang University,Urnmqi,Xinjiang 830046,China)

【机构】 新疆大学物理科学与技术学院

【摘要】 以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,薄膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变.

【关键词】 AlN靶射频溅射倾斜扫描(STD)AFM折射率
【基金】 国家自然科学基金资助项目(No.10864004;No.50862008);新疆大学博士启动基金(No.BS080109;No.BS060110)
【所属期刊栏目】 数理科学 (2009年03期)
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】232
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