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关于氧化硅烯结构和电子性质的第一性原理研究(英文)

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【作者】 陈楚张军

【Author】 CHEN Chu;ZHANG Jun;College of Physics Science and Technology, Xinjiang University;

【机构】 新疆大学物理科学与技术学院

【摘要】 利用基于广义梯度近似的密度泛函理论,本文研究了二维氧化硅烯的几何结构和电子特性.结果显示,随着氧含量的增加,氧原子更加倾向于以-(Si2O2)x-键的形式排列在硅烯表面.每一个-(Si2O2)x-键都会使临近氧原子的六个硅原子处在同一表面,并且四个Si-O键构成一个与之相垂直的平面.当所有的硅原子都转化成sp3杂化后,氧化硅烯会形成最稳定的全氧化结构并具有0.46 eV的带宽.部分氧化的硅烯结构具有从0.30 eV到0.38 eV的较小带宽,这些较小的带宽非常吻合较早时的关于氧化硅纳米带的带宽的实验数值(0.35 eV),并且说明离子化的Si-O键和共价性的Si-Si键共存导致了较小带宽的出现.

【关键词】 原子氧带宽氧化硅烯
【基金】 partly supported by the National Natural Science Foundation of China(11265015 and 11174171)
【所属期刊栏目】 研究精粹 (2014年03期)
  • 【分类号】O469
  • 【下载频次】82
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