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高k栅介质对短沟道双栅极MOSFET性能的影响

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【作者】 亚森江·吾甫尔买买提明·艾尼买买提热夏提·买买提阿布都艾则孜·阿布来提

【Author】 Yasenjan Ghupur;Mamtimin Geni;Mamatrishat Mamat;Abdueziz Ablat;College of Mechanical Engineering, Xinjiang University;College of Physics Science and Technology, Xinjiang University;

【机构】 新疆大学机械工程学院新疆大学物理科学与技术学院

【摘要】 不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄,从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加,这制约了MOSFET性能的提升.为了进一步了解采用高k电介质材料增强MOSFET性能的物理机制,本文通过采用基于非平衡格林函数的数值模拟方法,探讨了高k电介质材料及其等效厚度对于短沟道双栅极MOSFET性能的影响.模拟结果表明,高k材料介电常数的增加或等效氧化层厚度(EOT)的减小均将引起沟道区域能量势垒高度的减小,从而导致沟道电子数密度的增加而使漏极电流增加.因此,采用高k电介质材料为绝缘膜可有效地束缚栅极漏电流,从而提高短沟道双栅极MOSFET的性能.

【关键词】 器件性能高k漏电流双栅MOSFET
【基金】 国家自然科学基金(61366001,61464010)
【所属期刊栏目】 工程技术 (2015年03期)
  • 【DOI】10.13568/j.cnki.651094.2015.03.023
  • 【分类号】TN386
  • 【下载频次】122
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