网络首发时间:2019-12-25 09:23:14

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氧化层对掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的影响

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【作者】 王静叶开秀

【Author】 WANG Jing;YE Kaixiu;

【机构】 新疆大学物理科学与技术学院

【摘要】 本文基于半连续体模型,利用Keating形变势从理论上研究了掺杂磷原子的硅纳米薄膜存在氧化层时,薄膜厚度对杨氏模量的影响;并且研究了氧化层的厚度对薄膜杨氏模量的影响.研究结果显示,薄膜的杨氏模量与它的厚度有关系,氧化层的存在增加了硅膜的杨氏模量,随着厚度的减小杨氏模量不断增加,最后趋于稳定;并且氧化层的厚度越大,硅纳米薄膜的杨氏模量越大.

【关键词】 硅纳米薄膜掺杂氧化层杨氏模量
【基金】 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2018D01C077)
  • 【DOI】10.13568/j.cnki.651094.651316.2019.05.28.0002
  • 【分类号】O484.5;O613.72;TB383.1
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