文献知网节
  • 记笔记

借鉴日本专利技术,促进国内高导热氮化硅基片产业化

李贵佳

国家知识产权局专利局材料工程发明审查部

摘要:随着半导体集成模块发热量巨增,市场急需高导热陶瓷基片,介绍了高导热陶瓷基片的种类、特点和市场主要供应商,明确了氮化硅陶瓷基片具有高热导、高强高韧、热膨胀适应性良好等特点,以其突出的综合性能适应于第三代半导体芯片的发展方向,针对我国氮化硅基片仍未产业化,本文总结了全球主要供应商日本企业在华专利技术,为我国氮化硅基片产业化提供技术情报和专利预警。
  • DOI:

    10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2020.08.001

  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 电子技术及信息科学

  • 专题:

    无机化工; 无线电电子学

  • 分类号:

    TN305;TQ174.7

  • 手机阅读
    即刻使用手机阅读
    第一步

    扫描二维码下载

    "移动知网-全球学术快报"客户端

    第二步

    打开“全球学术快报”

    点击首页左上角的扫描图标

    第三步

    扫描二维码

    手机同步阅读本篇文献

  • HTML阅读
  • CAJ下载
  • PDF下载

下载手机APP用APP扫此码同步阅读该篇文章

下载:39 页码:1-8 页数:8 大小:2351K

相关推荐
  • 相似文献
  • 读者推荐
  • 相关基金文献
  • 关联作者
  • 相关视频