摘要：利用脉冲激光沉积（PLD）法,在LaAlO3（LAO）基片上外延生长了高质量的PbZr0.52Ti0.48O3（PZT）薄膜。通过增加10nm厚的LAO顶层,所制备PZT薄膜的铁电剩余极化（Pr）由28.8μC/cm2增加为55.1μC/cm2。通过对微结构分析,表明薄膜电学性能的增强主要来源于LAO顶层对PZT薄膜表面形貌的优化。另外,与Pr不同,随LAO顶层厚度的增加,PZT薄膜的矫顽场单调增加。
- 专辑：
理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)
- 专题：
材料科学; 工业通用技术及设备
- 分类号：
TB383.2
引文网络
相关推荐
- 相似文献
- 读者推荐
- 相关基金文献
- 关联作者
- 相关视频
