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摘要:采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。
  • 专辑:

    工程科技Ⅰ辑; 基础科学; 工程科技Ⅱ辑

  • 专题:

    物理学; 工业通用技术及设备

  • 分类号:

    O484.1

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