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硅微米晶须的定向排列生长

于灵敏范新会严文

西安工业学院材料与化工学院西安工业学院材料与化工学院 陕西 西安 710032

摘要:利用物理热蒸发法在1016~1066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须。借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长有序性的影响。研究结果表明,在环境压力为13.3kPa时,硅微米晶须均垂直于衬底表面生长,定向排列生长的硅微米晶须面积可达13mm×6mm;硅微米晶须的生长遵循气—液—固(VLS)机制;透射电子显微镜观察及选取电子衍射花样表明,硅微米晶须的球形头部为晶体,杆的中部为晶体外包覆非晶体的结合体,杆的尾部为非晶体;环境压力越低,硅微米晶须的定向排列的方向性越好。
  • DOI:

    10.14024/j.cnki.1004-244x.2004.03.014

  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源); 理工A(数学物理力学天地生)

  • 专题:

    物理学; 化学

  • 分类号:

    O782

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