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大功率压接式IGBT器件设计与关键技术

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【作者】 窦泽春刘国友陈俊黎小林彭勇殿李继鲁

【Author】 DOU Zechun;LIU Guoyou;CHEN Jun;LI Xiaolin;PENG Yongdian;LI Jilu;Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.;Electric Power Research Institute,CSG;

【机构】 株洲中车时代电气股份有限公司南方电网科学研究院有限责任公司

【摘要】 介绍了大功率压接式IGBT相比于传统焊接型器件所具有的技术优势,从器件设计层面分析了器件绝缘耐压失效机理,提出通过提升介质介电强度的方法进行绝缘性能优化的方案;分析了压力分布对器件性能的影响并提出多种解决方案;提出几种热学设计优化思路;针对失效短路问题,分析了其过程机理。最后阐述了银烧结、集成散热、Si C等压接式器件技术发展趋势。

【所属期刊栏目】 电力电子器件 (2016年02期)

【创新点】提出通过提升介质介电强度的方法进行大功率压接式IGBT绝缘性能优化的方案;提出几种热学设计优化思路;阐述了银烧结、集成散热、SiC 等压接式器件技术发展趋势。

  • 【DOI】10.13889/j.issn.2095-3631.2016.02.005
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】23
  • 【下载频次】587
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