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全烧结型SiC功率模块封装设计与研制(英文)

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【作者】 戴小平吴义伯赵义敏王彦刚

【Author】 DAI Xiaoping;WU Yibo;ZHAO Yimin;WANG Yangang;State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Device;Zhuzhou CRRC Times Electrics Co., Ltd.;R&D Centre, Dynex Semiconductor Ltd.;

【机构】 新型功率半导体器件国家重点实验室株洲中车时代电气股份有限公司丹尼克斯半导体公司功率半导体研发中心

【摘要】 针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60oC~200oC)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术;为了提高功率模块的可靠性及耐高温性能,采用低温银烧结技术替代传统钎焊焊接工艺,所研制功率模块搭载了SiC JFET和SiC SBD芯片组。测试结果表明,所研制的SiC功率模块具有良好的开关性能。

【基金】 European Clean Sky Mat Plan Project(No:304851)
【所属期刊栏目】 电力电子器件 (2016年05期)
  • 【DOI】10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.007
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】145
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