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功率组件IGBT并联均流设计

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【作者】 忻兰苑孙康康龚喆陈燕平唐龙谷

【Author】 XIN Lanyuan;SUN Kangkang;GONG Zhe;CHEN Yanping;TANG Longgu;State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices;Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd.;

【机构】 新型功率半导体器件国家重点实验室株洲中车时代电气股份有限公司

【摘要】 介绍了IGBT并联的几种不同形式,着重分析了器件直接并联不均流的影响因素及形成机理,从工程实践的角度在器件电性能参数、结温、驱动以及结构等多个方面给出了对应的设计要点,并通过仿真、双脉冲试验以及功率考核对此进行了验证。结果表明,采用该设计方法的组件具有优良的均流效果。

【关键词】 IGBT并联功能组件静态均流动态均流
【所属期刊栏目】 变流与控制 (2017年01期)
  • 【DOI】10.13889/j.issn.2095-3631.2017.01.004
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】235
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