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大功率IGBT器件并联均流研究

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【作者】 余伟罗海辉邓江辉周望君江普生吴煜东

【Author】 YU Wei;LUO Haihui;DENG Jianghui;ZHOU Wangjun;JIANG Pusheng;WU Yudong;State Κey Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices;Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.;

【机构】 新型功率半导体器件国家重点实验室株洲中车时代电气股份有限公司

【摘要】 为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文章分析了寄生电感对器件均流的影响,并通过理论推导分析了芯片参数对静态均流的影响,最后通过仿真和实验验证了芯片参数对动态均流的影响。结果表明,主回路寄生参数的不对称对均流的影响大于芯片参数差异的,而两者对开通均流的影响又都大于对关断均流的影响。

【基金】 国家科技重大专项02专项(2015ZX02301)
  • 【DOI】10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.007
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】226
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